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首页 全部分类 FQD9N25TM-F080 vs IRFR9N20DTRPBF

FQD9N25TM-F080备选型号: IRFR9N20DTRPBF

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  • 终端形式
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  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 终端
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 电压 - 额定直流
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 阈值电压
  • 双电源电压
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • ON Semiconductor
    FQD9N25TM-F080
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET N-CH 250V 7.4A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R
    ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
    4 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    260.37mg
    SILICON
    7.4A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    QFET®
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    鸥翼
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    2.5W
    DRAIN
    13 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    420m Ω @ 3.7A, 10V
    5V @ 250μA
    700pF @ 25V
    20nC @ 10V
    105ns
    ±30V
    45 ns
    7.4A
    TO-252AB
    30V
    0.42Ohm
    250V
    29.6A
    165 mJ
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFR9N20DTRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK
    -
    14 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    -
    SILICON
    9.4A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    -
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    2
    鸥翼
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    86W
    DRAIN
    7.5 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    380m Ω @ 5.6A, 10V
    5.5V @ 250μA
    560pF @ 25V
    27nC @ 10V
    16ns
    ±30V
    9.3 ns
    9.4A
    TO-252AA
    30V
    -
    200V
    -
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    2004
    e3
    SMD/SMT
    EAR99
    380mOhm
    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    200V
    260
    9.4A
    30
    5.5V
    200V
    5.5 V
    2.3876mm
    6.7056mm
    6.22mm
    无SVHC
    无铅
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