FQD9N25TM-F085备选型号: IRFR9N20DTRPBF
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级(Eas)
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 工厂交货时间
- 已出版
- 终端
- 电阻
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 元素配置
- 阈值电压
- JEDEC-95代码
- 双电源电压
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 无铅
- MOSFET 250V N-Channel QFET表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633SILICON7.4A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)Automotive, AEC-Q101, QFET®e3不用于新设计1 (Unlimited)2EAR99Tin (Sn)SINGLE鸥翼26030R-PSSO-G2SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET55WDRAIN13 nsN-ChannelSWITCHING420m Ω @ 3.7A, 10V5V @ 250μA700pF @ 25V20nC @ 10V105ns±30V45 ns7.4A30V250V29.6A165 mJ无ROHS3 Compliant----------------
- MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633SILICON9.4A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®e3不用于新设计1 (Unlimited)2EAR99Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier-鸥翼26030R-PSSO-G2-增强型MOSFET86WDRAIN7.5 nsN-ChannelSWITCHING380m Ω @ 5.6A, 10V5.5V @ 250μA560pF @ 25V27nC @ 10V16ns±30V9.3 ns9.4A30V200V--无ROHS3 Compliant14 Weeks2004SMD/SMT380mOhm200V9.4ASingle5.5VTO-252AA200V5.5 V2.3876mm6.7056mm6.22mm无SVHC无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
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