FQI27N25TU-F085备选型号: FQI5N30TU

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级(Eas)
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 供应商器件包装
  • 已出版
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 漏源击穿电压
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • ON Semiconductor
    MOSFET 250V 0.11OHM 25.5A N-CH MOSFET
    通孔
    通孔
    TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
    3
    2.084g
    SILICON
    25.5A Tc
    5V @ 250μA
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    Automotive, AEC-Q101
    e3
    yes
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 3 days ago)
    1 (Unlimited)
    3
    哑光锡
    Single
    增强型MOSFET
    3.13W
    36 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    110m Ω @ 12.75A, 10V
    1800pF @ 25V
    65nC @ 10V
    164ns
    250V
    ±30V
    77 ns
    25.5A
    30V
    250V
    600 mJ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    Trans MOSFET N-CH 300V 5.4A 3-Pin(3 Tab) I2PAK Rail
    通孔
    通孔
    TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
    3
    -
    -
    5.4A Tc
    5V @ 250μA
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    QFET®
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    Single
    -
    3.13W
    11 ns
    N-Channel
    -
    900mOhm @ 2.7A, 10V
    430pF @ 25V
    13nC @ 10V
    55ns
    300V
    ±30V
    27 ns
    5.4A
    30V
    -
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    I2PAK (TO-262)
    2000
    150°C
    -55°C
    300V
    5.4A
    300V
    430pF
    680mOhm
    900 mΩ
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