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首页 全部分类 FQP2N40-F080 vs FQP3N30

FQP2N40-F080备选型号: FQP3N30

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  • 系列
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
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  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 已出版
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 功率耗散
  • 阈值电压
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • ON Semiconductor
    FQP2N40-F080
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 400V 1.8A TO-220
    ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
    8 Weeks
    Tin
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    1.8g
    SILICON
    1.8A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    QFET®
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    未说明
    未说明
    Single
    增强型MOSFET
    7 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    5.8 Ω @ 900mA, 10V
    5V @ 250μA
    150pF @ 25V
    5.5nC @ 10V
    30ns
    400V
    ±30V
    25 ns
    1.8A
    TO-220AB
    30V
    7.2A
    400V
    85 mJ
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FQP3N30
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 300V 3.2A TO-220
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    9 Weeks
    -
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    1.8g
    SILICON
    3.2A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    QFET®
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    -
    -
    Single
    增强型MOSFET
    10 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    2.2 Ω @ 1.6A, 10V
    5V @ 250μA
    230pF @ 25V
    7nC @ 10V
    40ns
    -
    ±30V
    25 ns
    3.2A
    TO-220AB
    30V
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    2013
    EAR99
    Tin (Sn)
    300V
    3.2A
    55W
    1.65V
    300V
    16.3mm
    10.67mm
    4.7mm
    无SVHC
    无
    无铅
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