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首页 全部分类 FQP32N20C vs IRFB31N20DPBF

FQP32N20C备选型号: IRFB31N20DPBF

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  • 元素配置
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  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
  • 终端
  • 电阻
  • 箱体转运
  • 阈值电压
  • 双电源电压
  • 恢复时间
  • 栅源电压
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    FQP32N20C
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET N-CH 200V 28A 3-Pin(3 Tab) TO-220AB Rail
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    4 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    1.8g
    SILICON
    28A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    QFET®
    2004
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    200V
    未说明
    28A
    未说明
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    156W
    25 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    82m Ω @ 14A, 10V
    4V @ 250μA
    2200pF @ 25V
    110nC @ 10V
    270ns
    ±30V
    210 ns
    28A
    TO-220AB
    30V
    0.082Ohm
    200V
    955 mJ
    9.4mm
    10.1mm
    4.7mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFB31N20DPBF
    Infineon Technologies
    Mosfet, Power; N-ch; Vdss 200V; Rds(on) 0.082 Ohm; Id 31A; TO-220AB; Pd 200W; Vgs /-30V
    -
    14 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    -
    SILICON
    31A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    1998
    e3
    -
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    200V
    250
    31A
    30
    -
    Single
    增强型MOSFET
    200W
    16 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    82m Ω @ 18A, 10V
    5.5V @ 250μA
    2370pF @ 25V
    107nC @ 10V
    38ns
    ±30V
    10 ns
    31A
    TO-220AB
    30V
    -
    200V
    420 mJ
    8.763mm
    10.5156mm
    4.69mm
    ROHS3 Compliant
    Contains Lead, Lead Free
    Tin
    通孔
    82mOhm
    DRAIN
    5.5V
    200V
    300 ns
    5.5 V
    无SVHC
    无
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