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首页 全部分类 FQPF13N10 vs 2SJ655

FQPF13N10备选型号: 2SJ655

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  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 表面安装
  • 端子表面处理
  • 配置
  • 操作模式
  • 极性/通道类型
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 场效应管技术
  • 最大耗散功率(Abs)
  • ON Semiconductor
    FQPF13N10
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 100V 8.7A TO-220F
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    3
    8.7A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    QFET®
    2001
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    100V
    12.8A
    Single
    30W
    5 ns
    N-Channel
    180m Ω @ 4.35A, 10V
    4V @ 250μA
    450pF @ 25V
    16nC @ 10V
    55ns
    ±25V
    25 ns
    8.7A
    25V
    100V
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON SEMICONDUCTOR
    2SJ655
    ON SEMICONDUCTOR
    MOSFET P-CH 100V 12A TO-220ML
    -
    -
    -
    -
    150°C
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    -
    [object Object]
    NO
    Tin/Copper/Silver/Nickel (Sn/Cu/Ag/Ni)
    Single
    增强型MOSFET
    P-CHANNEL
    12A
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    25W
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