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首页 全部分类 FQPF630 vs FQPF9N25

FQPF630备选型号: FQPF9N25

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  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
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  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • HTS代码
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • ON Semiconductor
    FQPF630
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 200V 6.3A TO-220F
    ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
    4 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    3
    2.27g
    SILICON
    6.3A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    QFET®
    2000
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    200V
    6.3A
    Single
    增强型MOSFET
    38W
    ISOLATED
    8 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    400m Ω @ 3.15A, 10V
    4V @ 250μA
    550pF @ 25V
    25nC @ 10V
    75ns
    ±25V
    64 ns
    6.3A
    TO-220AB
    25V
    0.4Ohm
    200V
    25.2A
    9.19mm
    10.16mm
    4.7mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FQPF9N25
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 250V 6.7A TO-220F
    -
    -
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    -
    -
    SILICON
    6.7A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    QFET®
    2000
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    250V
    6.7A
    Single
    增强型MOSFET
    45W
    ISOLATED
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    420m Ω @ 3.35A, 10V
    5V @ 250μA
    700pF @ 25V
    20nC @ 10V
    105ns
    ±30V
    45 ns
    6.7A
    TO-220AB
    30V
    0.43Ohm
    250V
    35.2A
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    8541.29.00.95
    未说明
    未说明
    R-PSFM-T3
    不合格
    8.8A
    285 mJ
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