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首页 全部分类 FQPF7N60 vs FQPF9N50T

FQPF7N60备选型号: FQPF9N50T

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  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • ON Semiconductor
    FQPF7N60
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 600V 4.3A TO-220F
    ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
    4 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    3
    2.27g
    SILICON
    4.3A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    QFET®
    2013
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    雪崩 额定
    600V
    4.3A
    Single
    增强型MOSFET
    48W
    ISOLATED
    30 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    1 Ω @ 2.2A, 10V
    5V @ 250μA
    1430pF @ 25V
    38nC @ 10V
    80ns
    ±30V
    60 ns
    4.3A
    30V
    1Ohm
    600V
    580 mJ
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
  • ON Semiconductor
    FQPF9N50T
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 500V 5.3A TO-220F
    -
    -
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    3
    -
    -
    5.3A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    QFET®
    2000
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    500V
    5.3A
    Single
    -
    50W
    -
    -
    N-Channel
    -
    730m Ω @ 2.65A, 10V
    5V @ 250μA
    1450pF @ 25V
    36nC @ 10V
    95ns
    ±30V
    60 ns
    5.3A
    30V
    -
    500V
    -
    -
    符合RoHS标准
    无铅
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