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FQU1N50TU备选型号: FQU1N60CTU
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- 电压 - 额定直流
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- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
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- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
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- 晶体管元件材料
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 操作模式
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 阈值电压
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
MOSFET N-CH 500V 1.1A IPAK通孔通孔TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA31.1A Tc-55°C~150°C TJTubeQFET®2000Obsolete1 (Unlimited)500V1.1ASingle2.5WN-Channel9 Ω @ 550mA, 10V5V @ 250μA150pF @ 25V5.5nC @ 10V25ns±30V20 ns1.1A30V500V符合RoHS标准无铅------------------------ MOSFET 600V N-Channel Adv Q-FET C-Series通孔通孔TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA31A Tc-55°C~150°C TJTubeQFET®2013活跃1 (Unlimited)600V1ASingle2.5WN-Channel11.5 Ω @ 500mA, 10V4V @ 250μA170pF @ 25V6.2nC @ 10V21ns±30V27 ns1A30V600VROHS3 Compliant无铅4 WeeksACTIVE (Last Updated: 5 days ago)343.08mgSILICONe3yes3EAR9911.5OhmTin (Sn)未说明not_compliant未说明增强型MOSFET7 nsSWITCHING4V1A4A6.1mm6.6mm2.3mm无SVHC
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | STD3NK50Z-1 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | STMICROELECTRONICS STD3NK50Z-1 MOSFET Transistor, N Channel, 1.15 A, 500 V, 2.8 ohm, 10 V, 3.75 V | 对比 |
 | IPU50R2K0CEBKMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | MOSFET N-CH 500V 2.4A TO-251 | 对比 |
| IPU50R3K0CEBKMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | Trans MOSFET N-CH 550V 1.7A 3-Pin TO-251 Tube | 对比 |
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