FQU2N90TU-WS备选型号: IPU80R2K8CEBKMA1

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 质量
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 端子表面处理
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 供应商器件包装
  • 已出版
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 通道数量
  • 无卤素
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 最大双电源电压
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • ON Semiconductor
    MOSFET 900V 1.6A 7.8Ohm N-Channel
    ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
    6 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
    3
    343.08mg
    1.7A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    QFET®
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    Tin (Sn)
    Single
    2.5W
    15 ns
    N-Channel
    7.2 Ω @ 850mA, 10V
    5V @ 250μA
    500pF @ 25V
    15nC @ 10V
    35ns
    ±30V
    30 ns
    1.7A
    30V
    900V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 800V 1.9A TO251-3
    -
    -
    通孔
    通孔
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
    3
    343.085929mg
    1.9A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™
    -
    -
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    -
    Single
    -
    25 ns
    N-Channel
    2.8Ohm @ 1.1A, 10V
    3.9V @ 120μA
    290pF @ 100V
    12nC @ 10V
    15ns
    ±20V
    18 ns
    1.9A
    30V
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    含铅
    PG-TO251-3
    2008
    150°C
    -55°C
    1
    不含卤素
    800V
    800V
    290pF
    2.8Ohm
    2.8 Ω
    6.22mm
    6.73mm
    2.41mm
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
FQU2N100TU FQU2N100TU ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA MOSFET N-CH 1000V 1.6A IPAK 对比
STD2NK90Z-1 STD2NK90Z-1 STMicroelectronics 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Transistor: unipolar, N-MOSFET; 900V; 2.1A; IPAK 对比