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首页 全部分类 FQU9N25TU vs FQU12N20TU

FQU9N25TU备选型号: FQU12N20TU

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  • 端子表面处理
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  • 元素配置
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  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • ON Semiconductor
    FQU9N25TU
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 250V 7.4A IPAK
    ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
    6 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
    3
    343.08mg
    SILICON
    7.4A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    QFET®
    2013
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    250V
    7.4A
    Single
    增强型MOSFET
    2.5W
    13 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    420m Ω @ 3.7A, 10V
    5V @ 250μA
    700pF @ 25V
    20nC @ 10V
    105ns
    ±30V
    45 ns
    7.4A
    30V
    0.42Ohm
    250V
    29.6A
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
  • ON Semiconductor
    FQU12N20TU
    ON Semiconductor
    MOSFET 200V N-Channel QFET
    ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
    6 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
    3
    343.08mg
    SILICON
    9A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    QFET®
    2013
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    200V
    9A
    Single
    增强型MOSFET
    2.5W
    13 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    280m Ω @ 4.5A, 10V
    5V @ 250μA
    910pF @ 25V
    23nC @ 10V
    120ns
    ±30V
    55 ns
    9A
    30V
    0.28Ohm
    200V
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    9A
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FQU10N20CTU FQU10N20CTU ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA MOSFET N-CH 200V 7.8A IPAK 对比