FS50R12KE3BOSA1备选型号: FZ600R12KE3HOSA1
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 操作温度
- 已出版
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 最大功率耗散
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 资历状况
- 配置
- 功率耗散
- 箱体转运
- 无卤素
- 极性/通道类型
- 输入
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最大集极截止电流
- 电压 - 集射极击穿(最大值)
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- 关断时间-标准值(toff)
- IGBT类型
- NTC热敏电阻
- 输入电容(Cies)@Vce
- 高度
- 长度
- 宽度
- RoHS状态
- 无铅
- JESD-30代码
- 功率 - 最大
- 晶体管应用
- 上升时间
- 达到SVHC
- IGBT MOD 1200V 75A 270W16 WeeksScrew底座安装Module28SILICON1.2kV1.7V150°C TJ2002no活跃1 (Unlimited)28EAR99270WUPPERUNSPECIFIED未说明未说明28不合格三相逆变器270WISOLATED不含卤素N-CHANNELStandard1.2kV75A5mA1200V140 ns2.15V @ 15V, 50A610 nsNPT有3.5nF @ 25V17mm107.5mm45mmROHS3 Compliant含铅-----
- IGBT MOD 1200V 900A 2800W14 WeeksScrew底座安装Module4SILICON1.2kV1.7V-40°C~125°C TJ2002yes活跃1 (Unlimited)3EAR992.8kWUPPERUNSPECIFIED未说明未说明5不合格Single2.8kWISOLATED-N-CHANNELStandard1.2kV900A5mA1200V400 ns2.15V @ 15V, 600A830 ns沟渠现场停车有42nF @ 25V36.5mm106.4mm61.4mmROHS3 Compliant-R-XUFM-X32800W电源控制90ns无SVHC
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FZ400R12KE3HOSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 模块 | Module | IGBT MOD 1200V 650A 2250W | 对比 |
![]() | APTGT50DDA120T3G | Microsemi Corporation | 晶体管 - IGBT - 模块 | SP3 | POWER MOD IGBT TRENCH BOOST SP3 | 对比 |
![]() | APTGT50A120T1G | Microsemi Corporation | 晶体管 - IGBT - 模块 | SP1 | Trans IGBT Module N-CH 1.2KV 75A 12-Pin Case SP-1 | 对比 |






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