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FSBS5CH60备选型号: DDB6U75N16W1RBOMA1
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- 功能数量
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- 配置
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- 电源电流
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- 最小击穿电压
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- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 元素配置
- 箱体转运
- 功率 - 最大
- 正向电流
- 晶体管应用
- 无卤素
- 极性/通道类型
- 输入
- 峰值反向电流
- 最大重复反向电压(Vrrm)
- 电压 - 集射极击穿（最大值）
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
- 关断时间-标准值（toff)
- NTC热敏电阻
- 输入电容(Cies)@Vce
Motor / Motion / Ignition Controllers & Drivers HIGH POWERLAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)通孔通孔27-PowerDIP Module (1.205, 30.60mm)2713.86g600VMotion SPM® 32007e3yesObsolete1 (Unlimited)27EAR99IGBTTin (Sn)125°C-20°C8541.29.00.95DUAL115V32500Vrms300V16.5V3 Phase5A100μA25W10A2.3V5A600V5.5mm44mm26.8mm无符合RoHS标准无铅--------------------------
IGBT MOD 1200V 69A 335W-PCB, Through Hole底座安装Module10-1-2006-no活跃1 (Unlimited)27EAR99-----UPPER------三相逆变器----1.2kV69A-12mm48mm33.8mm-符合RoHS标准含铅16 WeeksTinSILICON-40°C~150°CUNSPECIFIED未说明未说明27R-XUFM-X27不合格SingleISOLATED335W65A电源控制不含卤素N-CHANNELStandard1mA1.6kV1200V137 ns2.15V @ 15V, 50A630 ns有2.8nF @ 25V- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | NGTG12N60TF1G | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | Module | ON SEMICONDUCTOR NGTG12N60TF1GIGBT Single Transistor, 24 A, 1.4 V, 54 W, 600 V, TO-3PF, 3 Pins | 对比 |
 | FSBB15CH60C | ON Semiconductor | 功率驱动器模块 | 27-PowerDIP Module (1.205, 30.60mm) | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FSBB15CH60C IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 15 A, 2 V, 55 W, 600 V, SPM27-CC | 对比 |
 | FPDB20PH60 | ON Semiconductor | 功率驱动器模块 | 27-PowerDIP Module (1.205, 30.60mm) | IC SMART POWER MOD 20A SPM27-GA | 对比 |
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