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首页 全部分类 FW813-TL-H vs FQS4900TF

FW813-TL-H备选型号: FQS4900TF

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  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 端子表面处理
  • 最大功率耗散
  • 功率耗散
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 场效应管特性
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 系列
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 资历状况
  • 配置
  • 操作模式
  • 晶体管应用
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 上升时间
  • 极性/通道类型
  • 下降时间（典型值）
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 场效应管技术
  • ON Semiconductor
    FW813-TL-H
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET N-CH 60V 5A 8-Pin SOP T/R
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.173, 4.40mm Width)
    8
    2
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2010
    e6
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    Tin/Bismuth (Sn/Bi)
    2.3W
    2.5W
    2 N-Channel (Dual)
    49m Ω @ 5A, 10V
    725pF @ 20V
    15nC @ 10V
    60V
    5A
    20V
    逻辑电平门
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FQS4900TF
    ON Semiconductor
    MOSFET N-Ch 60V/ P-Ch 300V Dual QFET
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    1.3A 300mA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2002
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    Tin (Sn)
    2W
    2W
    N and P-Channel
    550m Ω @ 650mA, 10V
    -
    2.1nC @ 5V
    60V 300V
    1.3A
    20V
    Standard
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    13 Weeks
    230.4mg
    SILICON
    QFET®
    8
    EAR99
    DUAL
    鸥翼
    未说明
    未说明
    FQS4900
    不合格
    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    SWITCHING
    1.95V @ 20mA
    25ns
    N-CHANNEL AND P-CHANNEL
    47 ns
    0.65Ohm
    -300V
    5.2A
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
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