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GA20JT12-263备选型号: 2SK4177-DL-1E

GA20JT12-263

GeneSiC Semiconductor

MOSFET 1200V 45A Standard

18 Weeks
表面贴装
TO-263-8, D2Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
YES
3
45A Tc
175°C TJ
Tube
2014
活跃
1 (Unlimited)
60m Ω @ 20A
3091pF @ 800V
1200V
N-CHANNEL
45A
符合RoHS标准
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2SK4177-DL-1E

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH Si 1.5KV 2A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R

19 Weeks
表面贴装
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
YES
2
2A Ta
150°C TJ
Tape & Reel (TR)
2007
不用于新设计
1 (Unlimited)
13 Ω @ 1A, 10V
380pF @ 30V
1500V
-
2A
ROHS3 Compliant
ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 2 days ago)
Tin
SILICON
e3
yes
2
EAR99
鸥翼
not_compliant
2
Single
增强型MOSFET
80W
DRAIN
12 ns
N-Channel
37.5nC @ 10V
37ns
±20V
59 ns
20V
2A
4A
无SVHC
无铅
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图片	产品型号	品牌	分类	封装	描述	对比
	FQB5N90TM	ON Semiconductor	晶体管 - FET，MOSFET - 单个	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	MOSFET N-CH 900V 5.4A D2PAK	对比