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首页 全部分类 GAP05SLT80-220 vs JANTX1N5809

GAP05SLT80-220备选型号: JANTX1N5809

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  • 平均整流电流
  • 反向恢复时间
  • 电容@Vr, F
  • RoHS状态
  • 引脚数
  • 二极管元件材料
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 应用
  • 附加功能
  • HTS代码
  • 终端形式
  • 参考标准
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 箱体转运
  • 正向电流
  • 输出电流-最大值
  • 正向电压
  • 相位的数量
  • 峰值反向电流
  • 最大重复反向电压(Vrrm)
  • 峰值非恢复性浪涌电流
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • GeneSiC Semiconductor
    GAP05SLT80-220
    GeneSiC Semiconductor
    DIODE SCHOTTKY 8KV 50MA AXIAL
    18 Weeks
    通孔
    通孔
    Axial
    Tube
    2016
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    No Recovery Time > 500mA (Io)
    碳化硅肖特基
    3.8μA @ 8000V
    4.6V @ 50mA
    -55°C~175°C
    8000V
    50mA DC
    8kV
    50mA
    0ns
    25pF @ 1V 1MHz
    符合RoHS标准
    -
    -
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    -
  • Microsemi Corporation
    JANTX1N5809
    Microsemi Corporation
    Diode Switching 100V 6A 2-Pin Case E
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    B, Axial
    Bulk
    1997
    活跃
    1 (Unlimited)
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Standard
    5μA @ 100V
    875mV @ 4A
    -65°C~175°C
    -
    -
    100V
    3A
    30 ns
    60pF @ 10V 1MHz
    Non-RoHS Compliant
    2
    SILICON
    1
    Military, MIL-PRF-19500/477
    e0
    no
    2
    Tin/Lead (Sn/Pb)
    175°C
    -65°C
    超快恢复
    HIGH RELIABILITY, METALLURGICALLY BONDED
    8541.10.00.80
    WIRE
    MIL-19500
    Qualified
    Single
    ISOLATED
    6A
    3A
    875mV
    1
    5μA
    100V
    125A
    无
    含铅
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