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首页 全部分类 GB02SHT03-46 vs GB02SHT06-46

GB02SHT03-46备选型号: GB02SHT06-46

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  • 平均整流电流
  • 反向恢复时间
  • 电容@Vr, F
  • RoHS状态
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  • 终止次数
  • 应用
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 输出电流-最大值
  • 相位的数量
  • 最大非代表Pk前进电流
  • 反向电流-最大值
  • GeneSiC Semiconductor
    GB02SHT03-46
    GeneSiC Semiconductor
    DIODE SCHOTTKY 300V 4A
    18 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-206AB, TO-46-3 Metal Can
    3
    Bulk
    2014
    活跃
    1 (Unlimited)
    No Recovery Time > 500mA (Io)
    碳化硅肖特基
    5μA @ 300V
    1.6V @ 1A
    -55°C~225°C
    4A DC
    300V
    4A
    0 s
    76pF @ 1V 1MHz
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
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    -
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    -
    -
  • GeneSiC Semiconductor
    GB02SHT06-46
    GeneSiC Semiconductor
    DIODE SCHOTTKY 600V 4A
    18 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-206AB, TO-46-3 Metal Can
    3
    Bulk
    2014
    活跃
    1 (Unlimited)
    No Recovery Time > 500mA (Io)
    碳化硅肖特基
    5μA @ 600V
    1.6V @ 1A
    -55°C~225°C
    4A DC
    600V
    4A
    0ns
    76pF @ 1V 1MHz
    符合RoHS标准
    1
    yes
    2
    EFFICIENCY
    PD-CASE
    BOTTOM
    WIRE
    未说明
    未说明
    O-MBCY-W2
    SINGLE
    4A
    1
    10A
    5μA
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