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首页 全部分类 GBPC12005W vs DF02S

GBPC12005W备选型号: DF02S

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  • 最大功率耗散
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  • 箱码（英制）
  • 元素配置
  • 正向电流
  • 平均整流电流（Io）
  • 平均整流电流
  • 峰值反向电流
  • 最大重复反向电压(Vrrm)
  • 反向电压
  • 最大正向浪涌电流（Ifsm）
  • 电压 - 峰值反向（最大值）
  • 最大结点温度（Tj）
  • 器件厚度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    GBPC12005W
    ON Semiconductor
    RECT BRIDGE GPP 12A 50V GBPC-W
    通孔
    通孔
    4-Square, GBPC-W
    4
    1
    -55°C~150°C TJ
    Tray
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    180pF
    50V
    12A
    GBPC12005
    单相
    5μA @ 50V
    83.3W
    12A
    1.1V @ 6A
    5μA
    300A
    1.1V
    300A
    11.23mm
    29mm
    29mm
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    DF02S
    ON Semiconductor
    DIODE BRIDGE 200V 1.5A 4-SMD
    通孔
    表面贴装
    4-SMD, Gull Wing
    4
    1
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    活跃
    1 (Unlimited)
    25pF
    200V
    1.5A
    DF02
    单相
    10μA @ 200V
    3.1W
    1.5A
    1.1V @ 1.5A
    5μA
    50A
    1.1V
    50A
    2.93mm
    8.5mm
    6.5mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 22 hours ago)
    13 Weeks
    Tin
    4-SDIP
    484mg
    2011
    20%
    150°C
    -55°C
    3.1W
    2012
    0805
    Single
    1.5A
    1.5A
    1.5A
    5μA
    200V
    200V
    50A
    200V
    150°C
    330.2μm
    无SVHC
    无
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