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首页 全部分类 GMM3X100-01X1-SMD vs TPCP8003-H(TE85L,F

GMM3X100-01X1-SMD备选型号: TPCP8003-H(TE85L,F

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  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
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  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 连续放电电流(ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • DS 击穿电压-最小值
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • RoHS状态
  • 引脚数
  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
  • 系列
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • IXYS
    GMM3X100-01X1-SMD
    IXYS
    MOSFET 6N-CH 100V 90A 24-SMD
    表面贴装
    表面贴装
    24-SMD, Gull Wing
    SILICON
    6
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    2011
    活跃
    1 (Unlimited)
    24
    EAR99
    Tin (984) Over Nickel (39)
    DUAL
    24
    R-PDSO-G24
    不合格
    3 BANKS, SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    ISOLATED
    6 N-Channel (3-Phase Bridge)
    SWITCHING
    4.5V @ 1mA
    90nC @ 10V
    100V
    90A
    0.0085Ohm
    100V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Standard
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    TPCP8003-H(TE85L,F
    Toshiba Semiconductor and Storage
    Trans MOSFET N-CH 100V 2.2A 8-Pin PS T/R
    表面贴装
    表面贴装
    8-SMD, Flat Lead
    -
    2.2A Ta
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2009
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    -
    N-Channel
    -
    -
    7.5nC @ 10V
    -
    2.2A
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    8
    2.3V @ 1mA
    U-MOSIII-H
    Single
    1.68W
    180m Ω @ 1.1A, 10V
    360pF @ 10V
    7ns
    ±20V
    3 ns
    20V
    100V
    800μm
    2.9mm
    2.4mm
    无
    无铅
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