GWM120-0075P3-SL备选型号: VEC2415-TL-W
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- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子位置
- 基本部件号
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- 连续放电电流(ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- RoHS状态
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 引脚数
- 无铅代码
- 最大功率耗散
- Reach合规守则
- 功率 - 最大
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 阈值电压
- 达到SVHC
- 无铅
- MOSFET 6N-CH 75V 118A ISOPLUS表面贴装表面贴装17-SMD, Flat LeadsSILICON6-55°C~175°C TJTube2008活跃1 (Unlimited)17EAR99DUALGWM120R-PDFP-F17不合格BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETISOLATED6 N-Channel (3-Phase Bridge)SWITCHING5.5m Ω @ 60A, 10V4V @ 1mA100nC @ 10V75V118A0.0055Ohm75VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTORStandardROHS3 Compliant-----------
- MOSFET 2N-CH 60V 3A VEC8表面贴装表面贴装8-SMD, Flat Lead--150°C TJTape & Reel (TR)2015活跃1 (Unlimited)---------2 N-Channel (Dual)-80m Ω @ 1.5A, 10V2.6V @ 1mA10nC @ 10V60V3A---Logic Level Gate, 4V DriveROHS3 CompliantACTIVE (Last Updated: 1 week ago)8 Weeks8yes1Wnot_compliant1W505pF @ 20V2.6V无SVHC无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| VEC2315-TL-W | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-SMD, Flat Lead | MOSFET 2P-CH 60V 2.5A VEC8 | 对比 | |
![]() | ZXMS6005DT8TA | Diodes Incorporated | PMIC - 配电开关,负载驱动器 | 8-SMD, Gull Wing | DIODES INC. ZXMS6005DT8TA Dual MOSFET, Dual N Channel, 1.8 A, 60 V, 0.15 ohm, 5 V, 1 V | 对比 |
| VEC2616-TL-W | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-SMD, Flat Lead | MOSFET N/P-CH 60V 3A/2.5A VEC8 | 对比 |



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