GWM180-004X2-SL备选型号: RTF015N03TL
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- 连续放电电流(ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- DS 击穿电压-最小值
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- RoHS状态
- 工厂交货时间
- 引脚数
- JESD-609代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 引脚数量
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 辐射硬化
- 达到SVHC
- 无铅
- MOSFET 6N-CH 40V 180A 17-SMD表面贴装表面贴装17-SMD, Flat LeadsSILICON6-55°C~175°C TJTube2011yes活跃1 (Unlimited)17EAR99DUAL未说明未说明R-XDFP-F17不合格BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETISOLATED6 N-Channel (3-Phase Bridge)SWITCHING2.5m Ω @ 100A, 10V4.5V @ 1mA110nC @ 10V40V180A0.0025Ohm40VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTORStandardROHS3 Compliant--------------------
- MOSFET N-CH 30V 1.5A TUMT3表面贴装表面贴装3-SMD, Flat LeadSILICON1.5A Ta150°C TJTape & Reel (TR)2009yes不用于新设计1 (Unlimited)3EAR99DUAL26010---增强型MOSFET-N-ChannelSWITCHING240m Ω @ 1.5A, 4.5V1.5V @ 1mA2.2nC @ 4.5V-1.5A----ROHS3 Compliant9 Weeks3e2240MOhm锡铜30V1.5A3Single800mW7 ns80pF @ 10V9ns±12V9 ns12V30V无无SVHC无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| RTF016N05TL | ROHM Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 3-SMD, Flat Lead | MOSFET N-CH 45V 1.6A TUMT3 | 对比 | |
| RMW280N03TB | ROHM Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SMD, Flat Lead | MOSFET N-CH 30V 28A 8PSOP | 对比 | |
| SSM3K59CTB,L3F | Toshiba Semiconductor and Storage | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 3-SMD, No Lead | MOSFET N-CH 40V 2A CST3B | 对比 |



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