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首页 全部分类 H11B1M vs 4N28

H11B1M备选型号: 4N28

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  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 质量
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 最大功率耗散
  • 电压-隔离度
  • 输出类型
  • 配置
  • 通道数量
  • 功率耗散
  • 电压 - 正向 (Vf) (类型)
  • 输入类型
  • 光电子器件类型
  • 正向电流
  • 最大输出电压
  • 每个通道的输出电流
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 反向击穿电压
  • 最大输入电流
  • 接通 / 关断时间（典型值）
  • 电流传输比
  • 集电极-发射器电压-最小值
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 供应商器件包装
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 基本部件号
  • 输出电压
  • 正向电压
  • 上升/下降时间(Typ)
  • 最大直流驱动电流（If）
  • 输入电流
  • Vce 饱和度（最大值）
  • 达到SVHC
  • ON Semiconductor
    H11B1M
    ON Semiconductor
    OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6DIP
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    7 Weeks
    通孔
    通孔
    6-DIP (0.300, 7.62mm)
    6
    855mg
    1V
    500% @ 1mA
    -40°C~100°C
    Tube
    2014
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin (Sn)
    UL认证
    250mW
    4170Vrms
    带底座的达林顿
    SINGLE
    1
    250mW
    1.2V
    DC
    达林顿输出光耦合器
    80mA
    30V
    150mA
    25μs
    18 μs
    1V
    150mA
    3V
    80mA
    25μs, 18μs
    500 %
    25V
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Vishay Semiconductor Opto Division
    4N28
    Vishay Semiconductor Opto Division
    Optocoupler DC-IN 1-CH Transistor With Base DC-OUT 6-Pin PDIP
    -
    14 Weeks
    通孔
    通孔
    6-DIP (0.300, 7.62mm)
    6
    -
    500mV
    10% @ 10mA
    -55°C~100°C
    Tube
    2010
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    150mW
    5000Vrms
    带基极晶体管
    -
    1
    150mW
    1.3V
    DC
    -
    60mA
    70V
    50mA
    2μs
    2 μs
    30V
    100mA
    5V
    60mA
    -
    30 %
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    6-DIP
    100°C
    -55°C
    4N28
    30V
    1.5V
    2μs 2μs
    60mA
    50mA
    500mV
    Unknown
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