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首页 全部分类 HAT2164H-EL-E vs IRF1503SPBF

HAT2164H-EL-E备选型号: IRF1503SPBF

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  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
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  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
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  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 系列
  • 电阻
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 正向电压
  • 漏源击穿电压
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • Renesas Electronics America
    HAT2164H-EL-E
    Renesas Electronics America
    MOSFET N-CH 30V 60A 5LFPAK
    16 Weeks
    Gold
    表面贴装
    表面贴装
    SC-100, SOT-669
    5
    SILICON
    60A Ta
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2005
    e4
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    EAR99
    30V
    SINGLE
    鸥翼
    260
    60A
    20
    5
    R-PSSO-G4
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    18 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    3.1m Ω @ 30A, 10V
    7600pF @ 10V
    50nC @ 4.5V
    60ns
    ±20V
    15 ns
    60A
    20V
    0.0044Ohm
    240A
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF1503SPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
    14 Weeks
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    -
    1
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    2010
    -
    -
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    30V
    -
    -
    -
    75A
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    17 ns
    N-Channel
    -
    3.3m Ω @ 140A, 10V
    5730pF @ 25V
    200nC @ 10V
    130ns
    ±20V
    48 ns
    75A
    20V
    -
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    HEXFET®
    3.3MOhm
    Single
    200W
    4V @ 250μA
    1.3V
    30V
    4 V
    4.826mm
    10.668mm
    9.65mm
    无SVHC
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