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首页 全部分类 HGT1S7N60A4DS vs FGB20N6S2D

HGT1S7N60A4DS备选型号: FGB20N6S2D

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  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 上升时间
  • 无铅
  • ON Semiconductor
    HGT1S7N60A4DS
    ON Semiconductor
    IGBT 600V 34A 125W TO263AB
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    600V
    1.9V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    125W
    Single
    125W
    Standard
    600V
    34A
    22 ns
    2.7V @ 15V, 7A
    37nC
    56A
    11ns/100ns
    55μJ (on), 60μJ (off)
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FGB20N6S2D
    ON Semiconductor
    IGBT 600V 28A 125W TO263AB
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    600V
    2.2V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    125W
    Single
    125W
    Standard
    2.7V
    28A
    31 ns
    2.7V @ 15V, 7A
    30nC
    40A
    7.7ns/87ns
    25μJ (on), 58μJ (off)
    符合RoHS标准
    2002
    600V
    28A
    4.5ns
    无铅
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