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首页 全部分类 HGTG18N120BN vs FGH25T120SMD-F155

HGTG18N120BN备选型号: FGH25T120SMD-F155

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  • 额定电流
  • JESD-30代码
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  • 极性/通道类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
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  • 接通时间
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
  • 关断时间-标准值（toff)
  • IGBT类型
  • 闸门收费
  • 集极脉冲电流（Icm）
  • Td（开/关）@25°C
  • 开关能量
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 引脚数
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 箱体转运
  • 反向恢复时间
  • JEDEC-95代码
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • ON Semiconductor
    HGTG18N120BN
    ON Semiconductor
    IGBT 1200V 54A 390W TO247
    ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 2 days ago)
    14 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    6.39g
    SILICON
    1.2kV
    2.45V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2001
    e3
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    LOW CONDUCTION LOSS, AVALANCHE RATED
    8541.29.00.95
    1.2kV
    390W
    54A
    R-PSFM-T3
    Single
    390W
    Standard
    MOTOR CONTROL
    N-CHANNEL
    1.2kV
    54A
    1200V
    38 ns
    2.7V @ 15V, 18A
    345 ns
    NPT
    165nC
    165A
    23ns/170ns
    800μJ (on), 1.8mJ (off)
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FGH25T120SMD-F155
    ON Semiconductor
    IGBT Transistors 1200V, 25A Field Stop Trench IGBT
    ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
    5 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    6.39g
    SILICON
    1.2kV
    1.9V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    2014
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    -
    TIN
    -
    -
    -
    428W
    -
    -
    Single
    428W
    Standard
    电源控制
    N-CHANNEL
    1.2kV
    50A
    1200V
    88 ns
    2.4V @ 15V, 25A
    584 ns
    沟渠现场停车
    225nC
    100A
    40ns/490ns
    1.74mJ (on), 560μJ (off)
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    3
    260
    COLLECTOR
    60ns
    TO-247AB
    25V
    7.5V
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