HGTG20N60B3D备选型号: STGWA19NC60HD
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- HTS代码
- 电压 - 额定直流
- 最大功率耗散
- 额定电流
- 基本部件号
- 极性
- 元素配置
- 功率耗散
- 箱体转运
- 输入类型
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 上升时间
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 反向恢复时间
- 最大击穿电压
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- 关断时间-标准值(toff)
- 闸门收费
- 集极脉冲电流(Icm)
- 开关能量
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 系列
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 极性/通道类型
- 最大结点温度(Tj)
- 连续集电极电流
- Td(开/关)@25°C
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- 高度
- FAIRCHILD SEMICONDUCTOR HGTG20N60B3DIGBT Single Transistor, General Purpose, 40 A, 1.8 V, 165 W, 600 V, TO-247, 3 PinsACTIVE, NOT REC (Last Updated: 2 days ago)通孔通孔TO-247-336.39gSILICON600V1.8V-40°C~150°C TJTube2011e3yes不用于新设计1 (Unlimited)3EAR99Tin (Sn)低导通损耗8541.29.00.95600V165W20AHGTG20N60NPNSingle165WCOLLECTORStandard25 nsMOTOR CONTROL20ns600V40A55ns600V45 ns2V @ 15V, 20A360 ns80nC160A475μJ (on), 1.05mJ (off)无SVHC无ROHS3 Compliant无铅-----------
- Trans IGBT Chip N-CH 600V 52A 3-Pin(3 Tab) TO-247 TubeACTIVE (Last Updated: 8 months ago)通孔通孔TO-247-3-6.500007gSILICON600V2.5V-55°C~150°C TJTube---活跃1 (Unlimited)3EAR99----208W-STGWA19-Single208WCOLLECTORStandard25 ns电源控制-600V52A31 ns-32 ns2.5V @ 15V, 12A272 ns53nC60A85μJ (on), 189μJ (off)-无ROHS3 Compliant无铅8 WeeksPowerMESH™3R-PSFM-T3N-CHANNEL150°C52A25ns/97ns20V5.75V25.54mm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IKW20N60TAFKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 3-Pin TO-247 Tube | 对比 |
![]() | STGW20V60DF | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT 600V 40A 167W TO247 | 对比 |
![]() | IKW20N60TFKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT 600V 40A 166W TO247-3 | 对比 |





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