HMC536LP2E备选型号: SKY65611-11
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- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 操作温度
- 包装
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- HTS代码
- 最大功率耗散
- 功能数量
- 结构
- 频率
- 基本部件号
- 引脚数量
- 电路
- 电源
- 最大电源电压
- 最小电源电压
- 阻抗
- 拓扑
- 频率范围
- 射频/微波器件类型
- 插入损耗
- 隔离
- 插入损耗(dB)
- 射频类型
- 输入功率-最大(CW)
- IIP3
- 待机时间
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 无铅
- 安装类型
- 已出版
- 电压 - 供电
- 测试频率
- 增益
- 噪声图
- IC SWITCH MMIC AMP SPDT 3W 6-DFNPRODUCTION (Last Updated: 2 weeks ago)8 WeeksTin表面贴装6-TDFN Exposed Pad621.092045mg-40°C~85°CStripe3no活跃1 (Unlimited)6EAR998542.39.00.01860mW1COMPONENT6GHzHMC5366单刀双掷5V5V3V50OhmReflectiveDC~6GHz分集开关1dB29dB1 dBWiMAX / WiBro29.03dBm49dBm0.07 μs950μm2.5mm2.5mm无SVHCROHS3 Compliant含铅------
- IC MMIC AMP 1.575GHZ 6DFN-19 Weeks--6-XFDFN6--Cut Tape (CT)--Discontinued1 (Unlimited)------1.559GHz~1.61GHz---------窄带低功耗---GPS-------ROHS3 Compliant-表面贴装20151.5V~2.85V1.559GHz~1.61GHz16.5dB0.65dB
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | HMC667LP2ETR | Analog Devices Inc. | 射频放大器 | 6-VFDFN Exposed Pad | IC MMIC AMP LNA PHEMT 6-DFN | 对比 |
![]() | BGM1034N7E6327XUSA1 | Infineon Technologies | category.RF Front End (LNA PA) | 6-WDFN Exposed Pad | IC AMP MMIC RF 17.0DB TSNP-7 | 对比 |
![]() | HMC667LP2E | Analog Devices Inc. | 射频放大器 | 6-VFDFN Exposed Pad | IC RF AMP GP 2.3GHZ-2.7GHZ 6DFN | 对比 |





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