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首页 全部分类 HSMS-2802-TR1G vs NSVBAV23CLT1G

HSMS-2802-TR1G备选型号: NSVBAV23CLT1G

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  • 二极管类型
  • 输出电流
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  • 反向电压
  • 最大结点温度（Tj）
  • 反向电压(直流电)
  • 电阻@If,F
  • 高度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 安装类型
  • 无铅代码
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 参考标准
  • 元素配置
  • 速度
  • 反向泄漏电流@ Vr
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
  • 工作温度 - 结点
  • 输出电流-最大值
  • 平均整流电流（Io）
  • 最大反向电压（DC）
  • 平均整流电流
  • 反向恢复时间
  • 峰值非恢复性浪涌电流
  • 二极管配置
  • Broadcom Limited
    HSMS-2802-TR1G
    Broadcom Limited
    AVAGO TECHNOLOGIES HSMS-2802-TR1G RF Schottky Diode, Barrier, Dual Series, 70 V, 1 A, 410 mV, 2 pF, SOT-23
    6 Weeks
    Gold
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    3
    SILICON
    70V
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2005
    e4
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    8541.10.00.80
    2pF
    70V
    DUAL
    鸥翼
    260
    1A
    HSMS-2802
    SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
    1A
    Schottky - 1 Pair Series Connection
    1A
    1A
    200nA
    1A
    410mV
    200nA
    70V
    2pF @ 0V 1MHz
    70V
    150°C
    70V
    35Ohm @ 5mA 1MHz
    1.3mm
    无SVHC
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NSVBAV23CLT1G
    ON Semiconductor
    Diode Switching 250V 0.4A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
    8 Weeks
    Tin
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    3
    SILICON
    0.265W
    -
    Tape & Reel (TR)
    2012
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    8541.10.00.70
    -
    -
    DUAL
    鸥翼
    未说明
    -
    -
    -
    -
    Standard
    -
    400mA
    -
    -
    1.25V
    -
    250V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
    表面贴装
    yes
    150°C
    -55°C
    未说明
    3
    AEC-Q101
    共阴极
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    100nA @ 200V
    1.25V @ 200mA
    -55°C~150°C
    0.2A
    400mA DC
    250V
    400mA
    150 ns
    9A
    1 Pair Common Cathode
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