HUF75343S3S备选型号: HUF75344S3ST
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- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 供应商器件包装
- 操作温度
- 包装
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 元素配置
- 功率耗散
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
- RoHS状态
- 无铅
- MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3D2PAK (TO-263AB)75A Tc-55°C~175°C TJTubeUltraFET™2003Obsolete1 (Unlimited)175°C-55°C55V75ASingle270WN-Channel9mOhm @ 75A, 10V4V @ 250μA3000pF @ 25V205nC @ 20V75ns55V±20V18 ns75A20V55V3nF9.5mOhm9 mΩ符合RoHS标准无铅
- MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3D2PAK (TO-263AB)75A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)UltraFET™2004Obsolete1 (Unlimited)175°C-55°C55V75ASingle285WN-Channel8mOhm @ 75A, 10V4V @ 250μA3200pF @ 25V210nC @ 20V125ns55V±20V57 ns75A20V55V3.2nF8mOhm8 mΩ符合RoHS标准无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IPB80N06S208ATMA2 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3 | 对比 |




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