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首页 全部分类 HUF75344S3ST vs IPB80N06S208ATMA2

HUF75344S3ST备选型号: IPB80N06S208ATMA2

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  • 输入电容
  • 漏源电阻
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  • 晶体管元件材料
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  • 终止次数
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  • 端子位置
  • 终端形式
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
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  • 无卤素
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    HUF75344S3ST
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    D2PAK (TO-263AB)
    75A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    UltraFET™
    2004
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    175°C
    -55°C
    55V
    75A
    Single
    285W
    N-Channel
    8mOhm @ 75A, 10V
    4V @ 250μA
    3200pF @ 25V
    210nC @ 20V
    125ns
    55V
    ±20V
    57 ns
    75A
    20V
    55V
    3.2nF
    8mOhm
    8 mΩ
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPB80N06S208ATMA2
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    -
    80A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2006
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    N-Channel
    7.7m Ω @ 58A, 10V
    4V @ 150μA
    2860pF @ 25V
    96nC @ 10V
    15ns
    -
    ±20V
    14 ns
    80A
    20V
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    含铅
    10 Weeks
    SILICON
    yes
    2
    EAR99
    SINGLE
    鸥翼
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    14 ns
    无卤素
    55V
    0.0077Ohm
    450 mJ
    无
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IPB80N06S407ATMA2 IPB80N06S407ATMA2 Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Trans MOSFET N-CH 60V 80A T/R 对比