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HUF75345S3S备选型号: AUIRF3205ZSTRL
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- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- HTS代码
- 电压 - 额定直流
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 资历状况
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 引脚数
- 已出版
- 附加功能
- 接通延迟时间
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- 辐射硬化
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABSILICON75A Tc-55°C~175°C TJTubeUltraFET™e3yesObsolete1 (Unlimited)2EAR99Tin (Sn)8541.29.00.9555V鸥翼未说明75A未说明R-PSSO-G2不合格Single增强型MOSFET325WDRAINN-ChannelSWITCHING7m Ω @ 75A, 10V4V @ 250μA4000pF @ 25V275nC @ 20V118ns±20V26 ns75A20V0.007Ohm55V符合RoHS标准无铅---------
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABSILICON75A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®e3-活跃1 (Unlimited)2EAR99---鸥翼260-30R-PSSO-G2-Single增强型MOSFET170WDRAINN-ChannelSWITCHING6.5m Ω @ 66A, 10V4V @ 250μA3450pF @ 25V110nC @ 10V95ns±20V67 ns75A20V0.0065Ohm55VROHS3 Compliant无铅16 WeeksTin32004AVALANCHE RATED, ULTRA-LOW RESISTANCE18 ns440A250 mJ无- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| HUF75344S3ST | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK | 对比 |
| IPB80N06S208ATMA2 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3 | 对比 |
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