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首页 全部分类 HUF76445S3ST vs IPB80N06S4L07ATMA2

HUF76445S3ST备选型号: IPB80N06S4L07ATMA2

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  • 输入电容
  • 漏源电阻
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  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 无铅代码
  • 终止次数
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
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  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
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  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • ON Semiconductor
    HUF76445S3ST
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    D2PAK (TO-263AB)
    75A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    UltraFET™
    2002
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    175°C
    -55°C
    60V
    75A
    Single
    310W
    N-Channel
    6.5mOhm @ 75A, 10V
    3V @ 250μA
    4965pF @ 25V
    150nC @ 10V
    126ns
    60V
    ±16V
    135 ns
    75A
    16V
    60V
    4.965nF
    5.4mOhm
    6.5 mΩ
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPB80N06S4L07ATMA2
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    -
    80A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
    2009
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    Single
    -
    N-Channel
    6.7m Ω @ 80A, 10V
    2.2V @ 40μA
    5680pF @ 25V
    75nC @ 10V
    3ns
    -
    ±16V
    8 ns
    80A
    16V
    60V
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    16 Weeks
    1.946308g
    SILICON
    yes
    2
    鸥翼
    未说明
    not_compliant
    未说明
    R-PSSO-G2
    1
    增强型MOSFET
    DRAIN
    10 ns
    60V
    0.0064Ohm
    4.4mm
    10mm
    9.25mm
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