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首页 全部分类 HUFA76413DK8T vs ZXMN6A09DN8TA

HUFA76413DK8T备选型号: ZXMN6A09DN8TA

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  • 操作模式
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  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
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  • 上升时间
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • RoHS状态
  • 无铅
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  • 已出版
  • 无铅代码
  • 电阻
  • 引脚数量
  • 通道数量
  • 接通延迟时间
  • 功率 - 最大
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  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    HUFA76413DK8T
    ON Semiconductor
    MOSFET 2N-CH 60V 5.1A 8-SO
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    230.4mg
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    UltraFET™
    e4
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    ULTRA-LOW RESISTANCE
    60V
    2.5W
    鸥翼
    260
    4.8A
    30
    不合格
    增强型MOSFET
    2.5W
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    49m Ω @ 5.1A, 10V
    3V @ 250μA
    620pF @ 25V
    23nC @ 10V
    19ns
    27 ns
    5.1A
    16V
    60V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    ZXMN6A09DN8TA
    Diodes Incorporated
    MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8-SOIC
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    73.992255mg
    SILICON
    4.3A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    -
    60V
    2.1W
    鸥翼
    260
    4.4A
    40
    -
    增强型MOSFET
    2.1W
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    40m Ω @ 8.2A, 10V
    3V @ 250μA
    1407pF @ 40V
    24.2nC @ 5V
    5ns
    4.6 ns
    5.6A
    20V
    60V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    ROHS3 Compliant
    无铅
    17 Weeks
    2007
    yes
    40mOhm
    8
    2
    4.9 ns
    1.25W
    4.3A
    1.5mm
    5mm
    4mm
    无SVHC
    无
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