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首页 全部分类 HUFA76609D3S vs IRLR120NTRPBF

HUFA76609D3S备选型号: IRLR120NTRPBF

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  • 无铅
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  • 触点镀层
  • 晶体管元件材料
  • JESD-609代码
  • 终止次数
  • 终端
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 附加功能
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 通道数量
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 双电源电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 恢复时间
  • 最大结点温度（Tj）
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    HUFA76609D3S
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    10A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    UltraFET™
    2002
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    100V
    10A
    Single
    49W
    N-Channel
    160m Ω @ 10A, 10V
    3V @ 250μA
    425pF @ 25V
    16nC @ 10V
    18ns
    ±16V
    39 ns
    10A
    16V
    100V
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRLR120NTRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    10A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2004
    活跃
    1 (Unlimited)
    100V
    11A
    Single
    48W
    N-Channel
    185m Ω @ 6A, 10V
    2V @ 250μA
    440pF @ 25V
    20nC @ 5V
    35ns
    ±16V
    22 ns
    10A
    16V
    100V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    12 Weeks
    Tin
    SILICON
    e3
    2
    SMD/SMT
    EAR99
    185mOhm
    雪崩 额定
    鸥翼
    260
    30
    R-PSSO-G2
    1
    增强型MOSFET
    DRAIN
    4 ns
    SWITCHING
    2V
    TO-252AA
    100V
    85 mJ
    160 ns
    175°C
    2 V
    2.52mm
    6.7056mm
    6.22mm
    无SVHC
    无
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