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首页 全部分类 IDW16G65C5XKSA1 vs ISL9R3060G2

IDW16G65C5XKSA1备选型号: ISL9R3060G2

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  • 质量
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  • 额定电流
  • 功率耗散
  • 输出电流
  • 正向电压
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  • 平均整流电流
  • 反向电压
  • 最大正向浪涌电流（Ifsm）
  • 恢复时间
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    IDW16G65C5XKSA1
    Infineon Technologies
    DIODE SCHOTTKY 650V 16A TO247-3
    18 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    1
    Tube
    CoolSiC™+
    2013
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    175°C
    -55°C
    EFFICIENCY
    8541.10.00.80
    94W
    未说明
    未说明
    Single
    No Recovery Time > 500mA (Io)
    碳化硅肖特基
    200μA @ 650V
    1.7V @ 16A
    CATHODE
    16A
    -55°C~175°C
    95A
    16A DC
    1
    0ns
    200μA
    650V
    470pF @ 1V 1MHz
    95A
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    ISL9R3060G2
    ON Semiconductor
    DIODE GEN PURP 600V 30A TO247
    4 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-2
    2
    1
    Tube
    Stealth™
    2004
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    -
    175°C
    -55°C
    快速软恢复
    8541.10.00.80
    -
    -
    -
    Single
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Standard
    100μA @ 600V
    2.4V @ 30A
    CATHODE
    30A
    -55°C~175°C
    325A
    -
    1
    45 ns
    100μA
    600V
    -
    325A
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    Tin
    6.33g
    SILICON
    FREEWHEELING DIODE, SNUBBER DIODE
    120pF
    600V
    30A
    200W
    30A
    2.4V
    600V
    30A
    600V
    325A
    45 ns
    20.82mm
    15.87mm
    4.82mm
    无SVHC
    无
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