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首页 全部分类 IDW30G65C5XKSA1 vs FFH60UP60S

IDW30G65C5XKSA1备选型号: FFH60UP60S

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  • 二极管元件材料
  • HTS代码
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  • 最大反向电压（DC）
  • 平均整流电流
  • 峰值反向电流
  • 反向电压
  • 恢复时间
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    IDW30G65C5XKSA1
    Infineon Technologies
    DIODE SCHOTTKY 650V 30A TO247-3
    18 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    38.000013g
    1
    Tube
    CoolSiC™+
    2013
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    175°C
    -55°C
    EFFICIENCY
    PD-CASE
    150W
    未说明
    未说明
    Single
    No Recovery Time > 500mA (Io)
    碳化硅肖特基
    220μA @ 650V
    1.7V @ 30A
    CATHODE
    30A
    -55°C~175°C
    30A DC
    1.7V
    1
    0ns
    650V
    860pF @ 1V 1MHz
    165A
    220μA
    165A
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FFH60UP60S
    ON Semiconductor
    DIODE GEN PURP 600V 60A TO247
    4 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-2
    2
    6.33g
    1
    Tube
    -
    2013
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    175°C
    -65°C
    超快恢复
    FREE WHEELING DIODE, HIGH RELIABILITY
    -
    -
    -
    Single
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Standard
    100μA @ 600V
    1.7V @ 60A
    CATHODE
    60A
    -65°C~150°C
    -
    1.7V
    1
    80 ns
    600V
    -
    600A
    -
    600A
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    SILICON
    8541.10.00.80
    600A
    600V
    60A
    100μA
    600V
    80 ns
    21mm
    15.95mm
    5.03mm
    无
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