IGP10N60TXKSA1备选型号: STGP10NC60KD
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- 晶体管元件材料
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- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 资历状况
- 元素配置
- 箱体转运
- 输入类型
- 功率 - 最大
- 晶体管应用
- 无卤素
- 极性/通道类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- JEDEC-95代码
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- 关断时间-标准值(toff)
- IGBT类型
- 闸门收费
- 集极脉冲电流(Icm)
- Td(开/关)@25°C
- 开关能量
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- ECCN 代码
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 基本部件号
- 功率耗散
- 上升时间
- 反向恢复时间
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- IGBT 600V 20A 110W TO220-316 Weeks通孔通孔TO-220-33SILICON600V-40°C~175°C TJTubeTrenchStop®2015e3yes活跃1 (Unlimited)3Tin (Sn)110W未说明未说明3不合格SingleCOLLECTORStandard110W电源控制无卤素N-CHANNEL600V20ATO-220AB21 ns2.05V @ 15V, 10A296 nsNPT, Trench Field Stop62nC30A12ns/215ns430μJROHS3 Compliant无铅----------------
- IGBT 600V 20A 65W TO2208 Weeks通孔通孔TO-220-33SILICON600V-55°C~150°C TJTubePowerMESH™-e3-活跃1 (Unlimited)3Matte Tin (Sn)65W--3-SingleISOLATEDStandard-电源控制-N-CHANNEL600V20ATO-220AB23 ns2.5V @ 15V, 5A242 ns-19nC30A17ns/72ns55μJ (on), 85μJ (off)ROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)2VEAR99600V20ASTGP1025W6ns22 ns20V7V9.15mm10.4mm4.6mm无SVHC无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | STGP10NC60HD | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-220-3 | IGBT 600V 20A 65W TO220 | 对比 |
![]() | STGP7NC60HD | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-220-3 | STMICROELECTRONICS STGP7NC60HD IGBT Single Transistor, 25 A, 2.5 V, 80 W, 600 V, TO-220, 3 Pins | 对比 |
![]() | IKP10N60TXKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-220-3 | IGBT 600V 20A 110W TO220-3 | 对比 |




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