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首页 全部分类 IGW50N65F5FKSA1 vs STGW39NC60VD

IGW50N65F5FKSA1备选型号: STGW39NC60VD

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  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    IGW50N65F5FKSA1
    Infineon Technologies
    IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    650V
    1.6V
    -40°C~175°C TJ
    Tube
    TrenchStop®
    2008
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin (Sn)
    305W
    未说明
    未说明
    Single
    305W
    Standard
    1.6V
    80A
    2.1V @ 15V, 50A
    120nC
    150A
    21ns/175ns
    490μJ (on), 160μJ (off)
    Unknown
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STGW39NC60VD
    STMicroelectronics
    STMICROELECTRONICS STGW39NC60VD IGBT Single Transistor, 80 A, 2.5 V, 250 W, 600 V, TO-247, 3 Pins
    8 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    600V
    1.8V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    PowerMESH™
    -
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    250W
    -
    -
    Single
    250W
    Standard
    600V
    80A
    2.4V @ 15V, 30A
    126nC
    220A
    33ns/178ns
    333μJ (on), 537μJ (off)
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    Tin
    SILICON
    3
    600V
    40A
    STGW39
    3
    ISOLATED
    33 ns
    电源控制
    13ns
    600V
    N-CHANNEL
    45ns
    40A
    TO-247AC
    46 ns
    366 ns
    20V
    5.75V
    20.15mm
    15.75mm
    5.15mm
    无
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