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首页 全部分类 IHW20N120R3FKSA1 vs HGTG11N120CND

IHW20N120R3FKSA1备选型号: HGTG11N120CND

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  • 开关能量
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  • 无铅
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  • 附加功能
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  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 极性
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 反向恢复时间
  • 接通时间
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    IHW20N120R3FKSA1
    Infineon Technologies
    IGBT 1200V 40A 310W TO247-3
    14 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    1.2kV
    -40°C~175°C TJ
    Tube
    TrenchStop®
    2006
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    310W
    未说明
    未说明
    3
    不合格
    Single
    Standard
    310W
    电源控制
    N-CHANNEL
    1.2kV
    40A
    1200V
    1.7V @ 15V, 20A
    538 ns
    Trench
    211nC
    60A
    -/387ns
    950μJ (off)
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    HGTG11N120CND
    ON Semiconductor
    IGBT 1200V 43A 298W TO247
    5 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    1.2kV
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    -
    2016
    e3
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    298W
    -
    -
    -
    -
    Single
    Standard
    -
    MOTOR CONTROL
    -
    1.2kV
    43A
    1200V
    2.4V @ 15V, 11A
    570 ns
    NPT
    100nC
    80A
    23ns/180ns
    950μJ (on), 1.3mJ (off)
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 2 days ago)
    6.39g
    2.1V
    低导通损耗
    8541.29.00.95
    1.2kV
    43A
    NPN
    298W
    23 ns
    70 ns
    33 ns
    无SVHC
    无
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