IHW20N135R5XKSA1备选型号: HGTG11N120CND

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  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 元素配置
  • 输入类型
  • 功率 - 最大
  • 晶体管应用
  • 无卤素
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  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 电压 - 集射极击穿(最大值)
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  • 关断时间-标准值(toff)
  • 闸门收费
  • 集极脉冲电流(Icm)
  • Td(开/关)@25°C
  • 开关能量
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 质量
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 附加功能
  • HTS代码
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 极性
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 反向恢复时间
  • 接通时间
  • IGBT类型
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    Trans IGBT Chip N-CH 1.35KV 40A 3-Pin TO-247 Tube
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    1.35kV
    -40°C~175°C TJ
    Tube
    TrenchStop®
    2013
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    288W
    未说明
    未说明
    Single
    Standard
    288W
    电源控制
    无卤素
    N-CHANNEL
    1.35kV
    40A
    1350V
    1.85V @ 15V, 20A
    450 ns
    170nC
    60A
    -/235ns
    950μJ (off)
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    IGBT 1200V 43A 298W TO247
    5 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    1.2kV
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    -
    2016
    e3
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    298W
    -
    -
    Single
    Standard
    -
    MOTOR CONTROL
    -
    -
    1.2kV
    43A
    1200V
    2.4V @ 15V, 11A
    570 ns
    100nC
    80A
    23ns/180ns
    950μJ (on), 1.3mJ (off)
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 2 days ago)
    6.39g
    2.1V
    低导通损耗
    8541.29.00.95
    1.2kV
    43A
    NPN
    298W
    23 ns
    70 ns
    33 ns
    NPT
    无SVHC
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