IKP40N65F5XKSA1备选型号: STGP30M65DF2
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 元素配置
- 功率耗散
- 输入类型
- 无卤素
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 反向恢复时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- 闸门收费
- 集极脉冲电流(Icm)
- Td(开/关)@25°C
- 开关能量
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 基本部件号
- 功率 - 最大
- IGBT类型
- Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 255000mW 3-Pin(3 Tab) TO-220 Tube26 Weeks通孔通孔TO-220-33650V1.6V-40°C~175°C TJTubeTrenchStop®2008e3yes活跃1 (Unlimited)EAR99Tin (Sn)255W未说明未说明Single255WStandard无卤素1.6V74A60 ns2.1V @ 15V, 40A95nC120A19ns/160ns360μJ (on), 100μJ (off)UnknownROHS3 Compliant无铅----
- STMICROELECTRONICS STGP30M65DF2 IGBT Single Transistor, 60 A, 1.55 V, 258 W, 650 V, TO-220, 3 Pins30 Weeks通孔通孔TO-220-33650V1.55V-55°C~175°C TJTube----活跃1 (Unlimited)EAR99-258W未说明未说明Single-Standard-2V60A140 ns2V @ 15V, 30A80nC120A31.6ns/115ns300μJ (on), 960μJ (off)无SVHCROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)STGP30258W沟渠现场停车
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IKP40N65H5XKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-220-3 | Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 3-Pin TO-220 Tube | 对比 |
![]() | IGP40N65F5XKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-220-3 | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS | 对比 |
![]() | IKP30N65H5XKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-220-3 | IGBT TRENCH 650V 55A TO220-3 | 对比 |




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