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首页 全部分类 IMS5SWDBHR33G65 vs CW252016-R33G

IMS5SWDBHR33G65备选型号: CW252016-R33G

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  • 品质因素
  • 电感容差
  • 直流电
  • 均方根电流(Irms)
  • 高度
  • 座位高度(最大)
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • Vishay Dale
    IMS5SWDBHR33G65
    Vishay Dale
    Ind RF Shielded/Molded 330nH 2% 25MHz 46Q-Factor Phenolic 1.3A AXL Bulk
    22 Weeks
    通孔
    Axial
    250MHz
    -55°C~125°C
    Bulk
    IMS-5SWD-65
    0.162Diax0.410L 4.11mmx10.41mm
    ±2%
    活跃
    Molded
    Shielded
    330nH
    46 @ 25MHz
    130mOhm Max
    1.3A
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
  • Bourns Inc.
    CW252016-R33G
    Bourns Inc.
    Inductor Chip Wirewound 330nH 2% 25MHz 45Q-Factor Ceramic 500mA 1.05Ohm DCR 1008 T/R
    18 Weeks
    表面贴装
    1008 (2520 Metric)
    Ceramic
    -40°C~125°C
    Tape & Reel (TR)
    CW252016
    0.098Lx0.079W 2.50mmx2.00mm
    ±2%
    活跃
    Wirewound
    NO
    330nH
    45 @ 100MHz
    1.05Ohm Max
    500mA
    无
    ROHS3 Compliant
    一个表面
    矩形包装
    2008
    e4
    yes
    1 (Unlimited)
    2
    SMD/SMT
    EAR99
    Gold (Au) - with Nickel (Ni) barrier
    8504.50.80.00
    500mA
    1
    2.2mm
    Chip
    Not
    2520
    1008
    25MHz
    射频电感
    双端
    45
    45
    2%
    500mA
    500mA
    1.3mm
    0.071 1.80mm
    无SVHC
    无铅
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