IMX5T108备选型号: MT3S20TU(TE85L)

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  • 描述:
  • 底架
  • 包装/外壳
  • 引脚数
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  • JESD-609代码
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  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 最高工作温度
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  • HTS代码
  • 电压 - 额定直流
  • 最大功率耗散
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 极性
  • 元素配置
  • 晶体管应用
  • 增益带宽积
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 转换频率
  • 最大击穿电压
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 最小直流增益(hFE)
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 安装类型
  • 操作温度
  • ECCN 代码
  • Reach合规守则
  • 极性/通道类型
  • 晶体管类型
  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
  • 增益
  • 频率转换
  • 连续集电极电流
  • 噪音数字(分贝类型@ f)
  • ROHM Semiconductor
    TRANS 2NPN 11V 0.05A 6SMT
    表面贴装
    SMD/SMT
    6
    11V
    Tape & Reel (TR)
    2010
    e1
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    6
    锡银铜
    150°C
    -55°C
    8541.21.00.95
    11V
    300mW
    鸥翼
    260
    50mA
    10
    6
    NPN
    Dual
    AMPLIFIER
    3.2 GHz
    11V
    50mA
    3.2GHz
    11V
    20V
    3V
    27
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    RF Bipolar Transistors Radio-Freq VHF/UHF 80mA 900mW 12V
    表面贴装
    3-SMD, Flat Lead
    -
    12V
    Cut Tape (CT)
    2014
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    900mW
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Single
    -
    -
    12V
    80mA
    5000MHz
    12V
    -
    1.5V
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    -
    12 Weeks
    表面贴装
    150°C TJ
    EAR99
    unknown
    NPN
    NPN
    100 @ 50mA 5V
    12dB
    7GHz
    80mA
    1.45dB @ 20mA, 5V
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