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首页 全部分类 INA201AIDR vs TC4426EOA

INA201AIDR备选型号: TC4426EOA

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  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 电源电压
  • 端子间距
  • 基本部件号
  • 功能
  • 输出类型
  • 最大电源电压
  • 最小电源电压
  • 电源电流
  • 准确性
  • 回应时间
  • 放大器类型
  • 统一增益 BW-（标准值）
  • 平均偏置电流-最大值 (IIB)
  • 最大偏置电流 (IIB) @25C
  • 感测方法
  • 输入失调电压-最大值
  • 共模拒绝率-最小值
  • 电压增益 - 额定值
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 器件厚度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 已出版
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 最大功率耗散
  • 电压 - 供电
  • 功能数量
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 输出的数量
  • 输出电压
  • 最大输出电流
  • 功率耗散
  • 输出电流
  • 最大电源电流
  • 传播延迟
  • 输入类型
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 上升/下降时间(Typ)
  • 接口IC类型
  • 信道型
  • 输入偏置电流
  • 接通时间
  • 输出峰值电流限制-名
  • 闸门类型
  • 峰值输出电流（源极，漏极）
  • 高边驱动器
  • 关断时间
  • 达到SVHC
  • Texas Instruments
    INA201AIDR
    Texas Instruments
    IC CURRENT MONITOR 3.5% 8SOIC
    ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
    6 Weeks
    Gold
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    75.891673mg
    -40°C~125°C
    Tape & Reel (TR)
    e4
    yes
    活跃
    2 (1 Year)
    8
    EAR99
    TR
    DUAL
    鸥翼
    260
    12V
    1.27mm
    INA201
    电流监控器
    OPEN-DRAIN
    18V
    2.7V
    1.85mA
    ±3.5%
    1300 ns
    COMPARATOR
    300 kHz
    16μA
    0.01μA
    High-Side
    2500μV
    100 dB
    50
    1.75mm
    4.9mm
    3.91mm
    1.58mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Microchip Technology
    TC4426EOA
    Microchip Technology
    IC MOSFET DVR 1.5A DUAL HS 8SOIC
    -
    6 Weeks
    -
    Surface Mount, Through Hole
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    -
    -40°C~150°C TJ
    Tube
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    -
    DUAL
    鸥翼
    260
    -
    -
    TC4426
    -
    -
    -
    -
    4.5mA
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    1.42mm
    4.9mm
    3.91mm
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Low-Side
    2003
    12Ohm
    Matte Tin (Sn)
    470mW
    4.5V~18V
    2
    40
    8
    2
    25mV
    1.5A
    470mW
    1.5A
    4.5mA
    50 ns
    Inverting
    50 ns
    30ns
    30 ns
    19ns 19ns
    基于缓冲器或逆变器的MOSFET驱动器
    Independent
    10μA
    0.04 μs
    1.5A
    N-Channel, P-Channel MOSFET
    1.5A 1.5A
    YES
    0.06 μs
    无SVHC
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