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首页 全部分类 INA282AIDR vs TC4427EOA

INA282AIDR备选型号: TC4427EOA

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  • 电压增益
  • 电源抑制比
  • 增益
  • 感测方法
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  • 最大结点温度（Tj）
  • 环境温度范围高
  • 电压增益 - 额定值
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 器件厚度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 已出版
  • 端子表面处理
  • 最大功率耗散
  • 电压 - 供电
  • 功能数量
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 输出的数量
  • 最大输出电流
  • 工作电源电压
  • 功率耗散
  • 输出电流
  • 最大电源电流
  • 传播延迟
  • 输入类型
  • 接通延迟时间
  • 最大输出电压
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 上升/下降时间(Typ)
  • 接口IC类型
  • 信道型
  • 接通时间
  • 输出峰值电流限制-名
  • 闸门类型
  • 峰值输出电流（源极，漏极）
  • 高边驱动器
  • 关断时间
  • Texas Instruments
    INA282AIDR
    Texas Instruments
    IC, CURRENT SHUNT MONITOR, 8SOIC
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    16 Weeks
    Gold
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    1
    -40°C~125°C
    Tape & Reel (TR)
    Zero-Drift
    e4
    yes
    活跃
    2 (1 Year)
    8
    EAR99
    6kOhm
    DUAL
    鸥翼
    260
    INA282
    电流监控器
    4.83V
    18V
    2.7V
    600μA
    ±0.4%
    OPERATIONAL AMPLIFIER
    120 dB
    20μV
    10 kHz
    33.98dB
    110.46dB
    4 dB
    High/Low-Side
    25μA
    150°C
    125°C
    50
    1.75mm
    4.9mm
    3.91mm
    1.58mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Microchip Technology
    TC4427EOA
    Microchip Technology
    MICROCHIP - TC4427EOA - MOSFET DRIVER, LOW-SIDE, SOIC-8
    -
    8 Weeks
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    50 ns
    -40°C~150°C TJ
    Tube
    -
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    12Ohm
    DUAL
    鸥翼
    260
    TC4427
    -
    25mV
    -
    -
    4.5mA
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    10μA
    -
    -
    -
    1.42mm
    4.9mm
    3.91mm
    -
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    2003
    Matte Tin (Sn) - annealed
    470mW
    4.5V~18V
    2
    40
    8
    2
    1.5A
    15V
    470mW
    1.5A
    4.5mA
    50 ns
    Non-Inverting
    30 ns
    25mV
    30ns
    30 ns
    19ns 19ns
    基于缓冲器或逆变器的MOSFET驱动器
    Independent
    0.04 μs
    1.5A
    N-Channel, P-Channel MOSFET
    1.5A 1.5A
    YES
    0.06 μs
  • 添加型号
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