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首页 全部分类 IPA50R190CEXKSA2 vs FDPF20N50T

IPA50R190CEXKSA2备选型号: FDPF20N50T

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  • 无铅
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  • 质量
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  • 端子表面处理
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
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  • 功率耗散
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  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    IPA50R190CEXKSA2
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 500V 18.5A TO220FP
    18 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    3
    SILICON
    18.5A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™ CE
    2008
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    SINGLE
    未说明
    未说明
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    ISOLATED
    N-Channel
    SWITCHING
    190m Ω @ 6.2A, 13V
    3.5V @ 510μA
    无卤素
    1137pF @ 100V
    47.2nC @ 10V
    ±20V
    18.5A
    TO-220AB
    500V
    0.19Ohm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDPF20N50T
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 500V 20A TO-220F
    9 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    3
    SILICON
    20A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    UniFET™
    2013
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    -
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    ISOLATED
    N-Channel
    SWITCHING
    230m Ω @ 10A, 10V
    5V @ 250μA
    -
    3120pF @ 25V
    59.5nC @ 10V
    ±30V
    20A
    TO-220AB
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    2.27g
    e3
    EAR99
    230MOhm
    Tin (Sn)
    500V
    20A
    Single
    38.5W
    95 ns
    375ns
    105 ns
    30V
    500V
    80A
    16.07mm
    10.36mm
    4.9mm
    无
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