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首页 全部分类 IPA50R199CPXKSA1 vs IPP50R199CPXKSA1

IPA50R199CPXKSA1备选型号: IPP50R199CPXKSA1

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  • 包装
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  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 终端
  • 端子表面处理
  • HTS代码
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 无卤素
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 双电源电压
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 工厂交货时间
  • ECCN 代码
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 阈值电压
  • Infineon Technologies
    IPA50R199CPXKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 500V 17A TO220-3
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    NO
    3
    SILICON
    17A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™
    2008
    e3
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    通孔
    Tin (Sn)
    8541.29.00.95
    未说明
    未说明
    3
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    139W
    ISOLATED
    35 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    199m Ω @ 9.9A, 10V
    3.5V @ 660μA
    无卤素
    1800pF @ 100V
    45nC @ 10V
    14ns
    ±20V
    10 ns
    17A
    TO-220AB
    20V
    0.199Ohm
    500V
    40A
    550V
    3 V
    16.15mm
    10.65mm
    4.85mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPP50R199CPXKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 550V 17A TO-220
    通孔
    TO-220-3
    NO
    3
    SILICON
    17A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™
    2008
    e3
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    -
    Tin (Sn)
    -
    未说明
    未说明
    3
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    139W
    ISOLATED
    35 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    199m Ω @ 9.9A, 10V
    3.5V @ 660μA
    无卤素
    1800pF @ 100V
    45nC @ 10V
    14ns
    ±20V
    10 ns
    17A
    TO-220AB
    20V
    0.199Ohm
    500V
    40A
    -
    -
    -
    -
    -
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    12 Weeks
    EAR99
    550V
    3V
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