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首页 全部分类 IPA60R950C6XKSA1 vs FCU900N60Z

IPA60R950C6XKSA1备选型号: FCU900N60Z

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  • 元素配置
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  • 阈值电压
  • 漏源击穿电压
  • 宽度
  • 高度
  • 长度
  • 达到SVHC
  • Infineon Technologies
    IPA60R950C6XKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 600V 4.4A TO220-FP
    26 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    3
    SILICON
    4.4A Tc
    3.5V @ 130μA
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™
    2005
    e3
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    SINGLE
    未说明
    未说明
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    26W
    ISOLATED
    10 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    950m Ω @ 1.5A, 10V
    无卤素
    280pF @ 100V
    13nC @ 10V
    8ns
    ±20V
    13 ns
    4.4A
    TO-220AB
    20V
    600V
    0.95Ohm
    46 mJ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FCU900N60Z
    ON Semiconductor
    FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCU900N60ZPower MOSFET, N Channel, 4.5 A, 600 V, 0.82 ohm, 10 V, 2.5 V
    15 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-251-3 Stub Leads, IPak
    3
    SILICON
    52W Tc
    3.5V @ 250μA
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    SuperFET® II
    2012
    e3
    yes
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    -
    未说明
    未说明
    -
    -
    增强型MOSFET
    52W
    -
    10.9 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    900m Ω @ 2.3A, 10V
    -
    710pF @ 25V
    17nC @ 10V
    5.3ns
    ±20V
    11.9 ns
    4.5A
    -
    20V
    -
    0.9Ohm
    47.5 mJ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin
    539mg
    Single
    600V
    2.5V
    675V
    2.5mm
    7.57mm
    6.8mm
    无SVHC
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