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首页 全部分类 IPA65R380C6XKSA1 vs IPA65R310CFDXKSA1

IPA65R380C6XKSA1备选型号: IPA65R310CFDXKSA1

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  • 工厂交货时间
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  • 安装类型
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  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
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  • JESD-609代码
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  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 资历状况
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 无卤素
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 无铅
  • ECCN 代码
  • 功率耗散
  • 上升时间
  • Infineon Technologies
    IPA65R380C6XKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 650V 10.6A TO220
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    3
    SILICON
    10.6A Tc
    3.5V @ 320μA
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™
    2008
    e3
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    Tin (Sn)
    SINGLE
    未说明
    未说明
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    ISOLATED
    12 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    380m Ω @ 3.2A, 10V
    无卤素
    710pF @ 100V
    39nC @ 10V
    ±20V
    11 ns
    10.6A
    TO-220AB
    20V
    650V
    29A
    215 mJ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPA65R310CFDXKSA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 700V 11.4A 3-Pin(3 Tab) TO-220 Full-Pack Tube
    18 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    3
    SILICON
    11.4A Tc
    4.5V @ 440μA
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™
    2008
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    Tin (Sn)
    SINGLE
    未说明
    未说明
    -
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    ISOLATED
    11 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    310m Ω @ 4.4A, 10V
    无卤素
    1100pF @ 100V
    41nC @ 10V
    ±20V
    7 ns
    11.4A
    TO-220AB
    20V
    650V
    -
    290 mJ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    EAR99
    32W
    7.5ns
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