IPA80R1K0CEXKSA2备选型号: FCPF850N80Z

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  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
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  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 通道数量
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 无卤素
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • Vgs(最大值)
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级(Eas)
  • 最大结点温度(Tj)
  • 高度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 引脚数
  • 质量
  • Reach合规守则
  • 元素配置
  • 上升时间
  • 下降时间(典型值)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 长度
  • 宽度
  • Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 800V TO-220-3
    18 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    SILICON
    5.7A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™ CE
    1997
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    SINGLE
    未说明
    未说明
    R-PSFM-T3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    1
    增强型MOSFET
    32W
    ISOLATED
    25 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    950m Ω @ 3.6A, 10V
    3.9V @ 250μA
    无卤素
    785pF @ 100V
    31nC @ 10V
    ±20V
    5.7A
    TO-220AB
    20V
    800V
    0.95Ohm
    800V
    230 mJ
    150°C
    19.6mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    MOSFET HV SuperJunction MOS
    13 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    -
    6A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    SuperFET® II
    2017
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    未说明
    未说明
    -
    -
    1
    -
    -
    -
    16 ns
    N-Channel
    -
    850m Ω @ 3A, 10V
    4.5V @ 600μA
    -
    1315pF @ 100V
    29nC @ 10V
    ±20V
    6A
    -
    20V
    -
    -
    800V
    -
    -
    16.07mm
    ROHS3 Compliant
    -
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    3
    2.27g
    not_compliant
    Single
    10ns
    4.5 ns
    6A
    10.36mm
    4.9mm
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